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Impact系列普克爾盒
Chiron系列普克爾盒
QX系列普克爾盒
IRX系列普克爾盒
QX1014A短路徑普克爾盒
TX系列普克爾盒
RTP晶體電光Q開(kāi)關(guān),普克爾盒
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RTP晶體電光Q開(kāi)關(guān)赢笨,普克爾盒

普克爾盒,電光Q開(kāi)關(guān)

時(shí)間:2020-05-18 類(lèi)別:聲光器件和電光器件 關(guān)注:16293

固體激光器最理想的光開(kāi)關(guān)虹体,為激光應用提供可靠和穩定的性能

普克爾盒是通過(guò)外加電壓引起電光晶體雙折射的變化來(lái)改變光的偏振態(tài)。我們提供工業(yè)標準QX系列,經(jīng)濟型的IMPACT系列,大孔徑的TX普克爾盒。這些KD * P,KTP和BBO晶體的普克爾盒廣泛用于激光腔的調Q,鎖模激光器的腔倒空,高重頻再生放大器控制和光學(xué)斬波器中。RTP屬于KTP晶體家族,是500~3000nm光譜范圍內的最佳材料斑卤,RTP的出色光電性能以及高損傷閾值使其可用于許多領(lǐng)域的高功率激光應用:醫療揽趾,工業(yè),國防等睛榴。

我們一站式供應各種類(lèi)型的電光Q開(kāi)關(guān),普克爾盒,電光調Q開(kāi)關(guān),電光調制盒,Q開(kāi)關(guān),EOM,電光調制器,KDP電光Q開(kāi)關(guān),KDP普克爾盒,BBO電光Q開(kāi)關(guān),BBO普克爾盒,CdTe電光Q開(kāi)關(guān),鈮酸鋰電光調制器,強度調制器,相位調制器捺拯,可提供選型、技術(shù)指導、安裝培訓、個(gè)性定制等全生命周期、全流程服務(wù),歡迎聯(lián)系我們的產(chǎn)品經(jīng)理!

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產(chǎn)品經(jīng)理信息

普克爾盒也叫普克爾斯盒,是一種由電光晶體(附有一些電極)組成的裝置,光束可以通過(guò)它傳播涎舔。晶體中的相位延遲(→ 普克爾斯效應)可以通過(guò)施加可變電壓來(lái)調制。因此,普克爾盒充當電壓控制波片。普克爾盒是電光調制器的基本組件蛙陆,例如用于調Q激光器鬼伪。它的原理就是克爾電光效應骄管,即放在電場(chǎng)中的晶體,由于其分子受到電力的作用而發(fā)生取向(偏轉),呈現各向異性,結果產(chǎn)生雙折射,即沿兩個(gè)不同方向物質(zhì)對光的折射能力有所不同。普克爾盒一般用來(lái)做電光調制器,電光調制器是一套系統几垃,需要普克爾盒加上驅動(dòng)電源乏草,根據參數需求不同可選擇不同的調制類(lèi)型和調制頻率。一般對光有3種調制:強度調制,偏振態(tài)調制和相位調制。

幾何形狀和材料

關(guān)于外加電場(chǎng)的方向景卫,普克爾盒可以有兩種不同的幾何形狀:

縱向器件具有沿光束方向的電場(chǎng),光束穿過(guò)電極中的孔。大光圈很容易實(shí)現陕绢,因為所需的驅動(dòng)電壓基本上與光圈無(wú)關(guān)。電極可以是金屬環(huán)(左)或帶有金屬觸點(diǎn)的端面(右)透明層。G&H公司在其KDP/KD*P普克爾盒(QX、CQX蔫耽、IMPACT和TX系列)的產(chǎn)品中使用了這種設計庶葛。

橫向裝置具有垂直于光束的電場(chǎng)近羊。該場(chǎng)通過(guò)晶體側面的電極施加借苛。對于小孔徑祝蝠,它們可以具有較低的開(kāi)關(guān)電壓宜猜。G&H公司的LiNbO3、BBO和CdTe普克爾盒(Chiron和IRX系列)采用這種設計风宁。

普克爾盒常見(jiàn)的非線(xiàn)性晶體材料有磷酸二氘鉀(KD*P =DKDP)粤蓄、磷酸氧鈦鉀(KTP)忙厌、β-硼酸鋇(BBO)(后者用于更高的平均功率和/或更高的開(kāi)關(guān)頻率)茶醉,鈮酸鋰(LiNbO3)焕徽、鉭酸鋰(LiTaO3)和磷酸二氫銨(NH4H2PO4,ADP)。

半波電壓

普克爾盒的一個(gè)重要特性是半波電壓Uπ(也稱(chēng)為Uλ/2或Vλ/2)。這是引起π相變所需的電壓,相當于半個(gè)光波長(cháng)。在調幅器中,施加的電壓必須改變這個(gè)值讨衣,以便從傳輸最小的操作點(diǎn)到傳輸最大的操作點(diǎn)。具有橫向電場(chǎng)的普克爾盒的半波電壓取決于晶體材料、電極間距和施加電場(chǎng)的區域的長(cháng)度。對于更大的開(kāi)孔,電極間距需要更大狂魔,因此電壓也需要更大检访。對于具有縱向電場(chǎng)的普克爾盒貌硬,晶體長(cháng)度無(wú)關(guān)緊要,因為例如較短的長(cháng)度也會(huì )增加給定電壓的電場(chǎng)強度袄优。在不增加半波電壓的情況下可以實(shí)現更大的孔徑侵儡。典型的普克爾盒具有數百甚至數千伏的半波電壓皆的,因此大調制深度需要高壓放大器。對于高度非線(xiàn)性晶體材料(如LiNbO3)和具有小電極間距的集成光調制器洽洁,相對較小的半波電壓是可能的轻纪,但此類(lèi)器件的功率處理能力有限翰倡。

調制帶寬

普克爾盒可能的調制帶寬可能非常高——許多兆赫糊怖,甚至可能是數千兆赫。它基本上僅受可以修改電光晶體中電場(chǎng)強度的速度的限制。因此,它基本上受到所使用的普克爾盒驅動(dòng)器電子設備的限制慧瘤,并且可能受到驅動(dòng)器和普克爾盒之間的電纜連接的限制缆蝉。然而,具有高電容的普克爾盒使驅動(dòng)器更難以實(shí)現高帶寬虏向。因此,使用具有低介電敏感性εr的晶體材料是有益的。此外搭屿,所選擇的電極幾何形狀可以發(fā)揮作用溺剖,并且這也可能受到例如關(guān)于開(kāi)孔的要求的影響。

G&H普克爾盒、電光Q開(kāi)關(guān)

基本型號如下:

產(chǎn)品系列波長(cháng)有效孔徑重復頻率本征對比 (ICR)電壓對比(VCR)光學(xué)材料
Chiron系列200–1650nm3.25–7mm1MHz>1000:1@1064nm>1000:1@1064nmBBO
Impact系列300-1100nm8-13mm1kHz>4000:1@1064nm>3500:1@1064nmKD*P
QX系列300–1100nm9.5–19.5mm3kHz5000:1@1064nm>1000:1@1064nmKD*P
QX1014A300–1100nm8mm10kHz>1200:1@633nm>450:1@633nmKD*P
TX系列300–1300nm19.5–99mm1kHz

KD*P
IRX系列 7.0–12μm3–10mm100kHz>500:1@10.6μm>500:1@10.6μmCdTe

Chiron系列BBO普克爾盒

Chiron BBO普克爾盒在200–1650nm波長(cháng)范圍內工作,有效孔徑為3.25–7mm,重復頻率高達1MHz。在1064nm處提供>1000:1的壓電系數比。利用雙晶體幾何結構,具有最小驅動(dòng)電壓(四分之一波電壓:2.3kV@1064nm)。Chiron BBO普克爾盒提高了高重復率和高平均功率激光應用的標準浮两,因為其吸收率低,可減少熱透鏡效應和消偏振。低吸收是通過(guò)卓越的晶體質(zhì)量實(shí)現的,我們通過(guò)利用晶體生長(cháng)、制造和拋光技術(shù)的專(zhuān)有技術(shù)來(lái)實(shí)現這一點(diǎn)临卿,以提供可靠、高性能的普克爾盒。該系列普克爾盒可用于再生放大器、高脈沖重復率微加工激光器和用于材料加工和金屬退火的高平均功率激光器,以及任何其他高功率激光應用。

Chiron系列BBO普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 高達1MHz的高脈沖頻率

  • 固態(tài)

  • 低噪音

  • 抗損傷陶瓷孔徑

  • 緊湊的設計

  • 高可靠性

  • 高平均功率運行

主要優(yōu)勢

  • 適用于高平均功率系統

  • 低吸收,熱效應低

  • 卓越的高重復率性能

  • 提供技術(shù)支持

應用

  • 軍事

  • OEM 和替換激光系統:

    • ? 加工、打標、鉆孔

    • ? 眼科

    • ? Q開(kāi)關(guān)和再生放大器

    • - 研究

型號Chiron 2.6Chiron 3Chiron 4Chiron 5Chiron 7
通光孔徑2.6mm3.25mm4mm5.5mm7mm
單程插入損耗@1064nm<1.5%<1.5%<1.5%<1.5%<1.5%
本征對比(ICR)@1064nm>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1
電壓對比 (VCR)@1064>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1
單程波前畸變@1064nm<λ/6<λ/6<λ/6<λ/6<λ/6
鍍膜層損傷閾值LIDT,
 10Hz@1064nm,10ns,~1mm直徑
10J/cm210J/cm210J/cm210J/cm210J/cm2
電容(DC)~4pF~4pF~4pF~4pF~4pF
直流1/4波電壓(±6%)@1064nm1.9kV2.3kV2.9kV3.8kV4.7kV
儲存和運輸的溫度-25℃至50℃-25℃至50℃-25℃至50℃-25℃至50℃-25℃至50℃
理論上10-90%上升時(shí)間(50Ω電線(xiàn))~ 1ns~ 1ns~ 1ns~ 1ns~ 1ns
1s占空比<5%<5%<5%<5%<5%
外形尺寸直徑25.3mm,長(cháng)57.7mm

1MHz重復率下的普克爾盒性能標準化為100%的起始對比度

Impact系列KD*P普克爾盒

Impact系列KD*P普克爾盒在300-1100nm波長(cháng)范圍內的透射率超過(guò)98.5%,有效孔徑范圍為8-13mm有尤,本征對比度>4000:1,在1Khz頻率下工作,采用了最好的無(wú)應力单掘、高度氘化的KD*P晶體。陶瓷孔徑確保在嚴苛的應用中也具有穩定的性能∩冢可用于多種激光波長(cháng)的超高的損傷閾值的溶膠和AR鍍膜。選配標準的針型連接器(適用于高電壓應用),簡(jiǎn)便的設計方便客戶(hù)快速的連接和組裝,客戶(hù)也可選擇傳統的螺紋接頭猩芦。IMPACT系列是采用干燥的氮氣回吹來(lái)保護的真空密封,價(jià)格合理,專(zhuān)為設備制造商(OEM)研制。

Impact系列KD*P普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 高達1MHz的高脈沖頻率

  • 小尺寸適合微型系統

  • 緊湊–重量輕且節省空間

  • 抗損傷陶瓷孔徑

  • 高透射率和對比度

  • 高抗光學(xué)損傷性

  • 工作頻率為1kHz

應用

  • 軍事

  • OEM

  • 研究

  • 教育

  • 醫療

型號Impact8Impact9Impact10Impact13
通光孔徑8mm9.25mm10mm13mm
單程插入損耗@1064nm<2%<2%<2%<2%
本征對比(ICR)@1064nm>2000:1>2000:1>2000:1>2000:1
電壓對比 (VCR)@1064>1500:1>1500:1>1500:1>1500:1
單程波前畸變@633nm<λ/6<λ/6<λ/6<λ/6
電容(DC)6pF6pF6pF6pF
直流1/4波電壓(±6%)@1064nm3.5kV3.5kV3.5kV3.5kV
理論上10-90%上升時(shí)間(50Ω電線(xiàn))0.8ns0.9ns1.1ns1.1ns
鍍膜層損傷閾值LIDT,
 10Hz@1064nm,10ns,~1mm直徑
10J/cm210J/cm210J/cm210J/cm2

QX系列KD*P普克爾盒

QX系列KD*P普克爾盒在300–1100nm波長(cháng)范圍內工作胁烤,有效孔徑為9.5–19.5mm,重復頻率高達3kHz。在1064nm處提供大于2000:1的電壓對比度。QX系列為KD*P普克爾盒設定了標準,采用寬帶蜜裹、高損傷閾值溶膠凝膠增透膜及緊湊型設計,以提高耐用性和性能,具有堅固的陶瓷孔徑和優(yōu)質(zhì)的紫外級熔融石英窗口,可實(shí)現高透射率和對比度。

QX系列KD*P普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 干性或液體密封

  • 99.9% KD*P重氫工業(yè)化標準

  • 無(wú)環(huán)氧和粘結劑

  • 紫外級熔融硅窗口

  • 有效孔徑為9.5–19.5mm

  • 業(yè)內最低的吸收率

  • 最高的抗光學(xué)損傷能力

  • 工作頻率為3kHz(10kHz衰減模型)

應用

  • Q 開(kāi)關(guān)、脈沖拾取和腔倒空器

  • 工業(yè)和軍事OEM,研究激光器系統教育

型號QX1020QX1320QX1630QX2035
通光孔徑9.25mm12.3mm15.1mm19.5mm
單程插入損耗@1064nm<1.4%<1.4%<1.8%<2%
本征對比(ICR)@1064nm5000:15000:15000:15000:1
電壓對比 (VCR)@10642500:11500:11800:11000:1
單程波前畸變@633nm<λ/8<λ/8<λ/8<λ/6
電容(DC)5pF7pF9pF13pF
直流1/4波電壓(±6%)@1064nm3.5kV3.5kV3.5kV3.5kV
理論上10-90%上升時(shí)間(50Ω電線(xiàn))0.8ns1.1ns1.1ns1.5ns

QX1014A短路徑KD*P普克爾盒

QX1014A短路徑KD*P普克爾盒作為行業(yè)標準QX系列普克爾盒中最新型號讼棍,在300–1100nm波長(cháng)范圍內工作超悟,具有從8mm起的短路徑長(cháng)度有效孔徑囱嫩,重復頻率高達10kHz。在633nm處提供大于1200:1的電壓對比度,并具有緊湊的設計,具有堅固的陶瓷孔徑和優(yōu)質(zhì)的紫外熔融石英窗口,可實(shí)現高透射率和對比度。采用寬帶、高損傷閾值溶膠凝膠增透膜,以提高耐用性和性能勾邦。采用短路徑長(cháng)度零件用來(lái)減少在高峰值功率應用和飛秒應用中光脈沖在非線(xiàn)性介質(zhì)中傳播時(shí)導致的非線(xiàn)性自聚焦效應。衰減(阻尼)修改允許高達10kHz的有效操作從而有效的抑制了聲振效應留夜。我們可提供多種AR鍍膜,包括我們的獨有的700-1000nm AR鍍膜-非常適合減小鈦藍寶石再生放大器的插入損耗。

QX1014A短路徑KD*P普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 短路徑長(cháng)度俏汇,運行高達10kHz

  • 可定制AR鍍膜,包括適用于鈦藍寶石帶寬的AR鍍膜、波長(cháng)可選荸速、陶瓷通光孔徑、低VOC材料和高質(zhì)量KD*P晶體

主要優(yōu)勢

  • 高損傷閾值

  • 低插入損耗

應用

  • 光譜學(xué)用超快再生放大器

  • 材料加工

  • 光學(xué)參量放大

  • 生命科學(xué)用飛秒激光(如LASIK)和材料加工(如光刻掩模修復)

  • 科學(xué)研究

主要技術(shù)參數

  • 通光孔徑:8mm

  • 本征對比(ICR)@633nm:>1200:1

  • 電壓對比 (VCR)@633nm:>450:1

  • 光傳輸@鍍膜波長(cháng):>98%

  • 直流半波電壓@633nm:≤3.8kV

  • 透射波畸變@633nm:λ/8

  • 外形尺寸:直徑34.8mm,長(cháng)度51.6mm

TX系列KD*P普克爾盒

TX系列KD*P普克爾盒在300–1300nm 波長(cháng)范圍內工作,具有19.5–99mm 的大有效孔徑赦驱,重復頻率高達1kHz锋玲。在1064nm處提供大于8000:1的電壓對比度。還配有亞微米級的軸向可調窗口仿贬,用于調節窗口/晶體間距,同時(shí)配有224 TPI精密調節螺絲可用于再次調節窗口平行度和弧度。

TX系列KD*P普克爾盒是目前市面上最先進(jìn)的應用于高功率的大口徑光學(xué)隔離器袋义。我們作為業(yè)界的先驅研發(fā)的激光誘導核聚變和亞微米微光刻技術(shù)的普克爾盒現有大約300臺在全球范圍內使用,所售數量是其他制造商所售總和的兩倍多。我們利用最先進(jìn)的技術(shù)特別修改了圓柱形環(huán)形電極幾何結構鲫础,用來(lái)實(shí)現光均勻的傳輸達到最佳的消光比和最短的光路。我們在TX系列普克爾盒上安裝優(yōu)質(zhì)的50Ω  GHV系列電氣插座,因為其額定值為20kVDC和1GHz(需與RG-8 A/U或RG-213/U同軸電纜一起使用)聋亡。

TX系列KD*P普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 亞微米級軸向可調窗口,用于調節窗口/晶體間距

  • 224TPI精密調節螺絲糯锦,用于調節窗口平行度和弧度

  • 雙循環(huán)口

  • 易于檢查和清潔的水晶鏡面

  • 50Ω傳動(dòng)線(xiàn)標準配置妻互。

  • 精密加工不含環(huán)氧樹(shù)脂

  • 可提供各種孔徑尺寸

主要優(yōu)勢

  • 擴束可降低光強

應用

  • 超短超強激光器的Q開(kāi)關(guān)和光隔離器

  • 高功率可見(jiàn)光和近紅外激光器的光隔離和低頻調制

型號TX2042TX2650TX3460TX5065TX7595TX100D
通光孔徑19.5mm25.5mm33.5mm49.5mm73.5mm99.0mm
晶體氘化95%95%95%95%95%95%
單程插入損耗@1064nm3.5%4%5%5%6.5%7%
本征對比(ICR)@1064nm>2000:1>2000:1>2000:1>2000:1

電壓對比 (VCR)@1064
 交叉偏振器
 平行偏振器
8000:1
3000:1
8000:1
2500:1
6000:1
1500:1
3000:1
500:1
800:1
300:1
200:1
100:1
單程波前畸變@1064nm<λ/20<λ/20<λ/20<λ/20<λ/20<λ/20
最大殘余雙折射(通常小于孔徑的1%)<10nm<12nm<18nm<20nm<40nm<80nm
直流半波電壓@1064nm6.4kV6.4kV6.7kV6.9kV7.3kV7.7kV
電容 @ 1 kHz23pF27pF32pF56pF86pF115pF
理論上10-90%上升時(shí)間(50Ω電線(xiàn))1ns<2ns2ns3ns5ns7ns
尺寸(LxHxW)*85x80x85mm97x87x92mm102x95x103mm115x111x119mm151x136x144mm157x161x169mm
重量1.1kg1.4kg1.9kg2.7kg5.4kg7.5kg

L=沿光軸方向的外殼長(cháng)度;W=電氣端子之間的寬度;H=高度曾沈。可提供某些特定尺寸的99%氘化 KD*P和UV級KDP。點(diǎn)擊此處查看TX系列50Ω傳輸模式接線(xiàn)信息

IRX系列CdTe普克爾盒

IRX系列CdTe普克爾盒在7.0–12μm波長(cháng)范圍內工作,有效孔徑為3–10mm役压,重復頻率高達100kHz,在10.6μm處提供>500:1的電壓對比度。IRX系列具有專(zhuān)利設計脾险,可將CdTe晶體與外部環(huán)境隔離,從而延長(cháng)使用壽命,并提供水冷設計以提高平均功率處理能力肋贯。由于碲化鎘具有電光系數高和不易吸水的特性,它作為Q開(kāi)關(guān)主要用于3-12um波段,特別是二氧化碳激光器中玩迈。根據客戶(hù)要求,可以切成布儒斯特角端面,也可以根據客戶(hù)指定的激光波長(cháng)鍍膜根时。

IRX系列CdTe普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 高電光效應的CdTe晶體

  • 可提供3-10 mm氬涂層或布魯斯特切割晶體的孔徑

  • 環(huán)境隔離EO晶體

  • 可提供定制版本

  • 可提供主動(dòng)冷卻(申請專(zhuān)利中)

  • 3μm-12μm到100 kHz

  • 環(huán)境控制和大功率水冷選項(申請專(zhuān)利中)

  • 防潮材料

  • 低光吸收

主要優(yōu)勢

  • 高對比度

  • 寬光譜范圍

應用

  • 二氧化碳激光調Q

  • 紅外脈沖選擇器

型號IRX3IRX4IRX5IRX7IRX9
通光孔徑3mm4mm5mm7mm9mm
光通過(guò)率>98%@10.6μm>98%@10.6μm>98%@10.6μm>98%@10.6μm>98%@10.6μm
本征對比(ICR)@10.6μm>500:1>500:1>500:1>500:1>500:1
電壓對比(VCR)@10.6μm>500:1>500:1>500:1>500:1>500:1
單程波前畸變@10.6μm<λ/4<λ/4<λ/4<λ/4<λ/4
電容(DC)6pF6pF6pF6pF6pF
直流1/4波電壓(±6%)@10.6μm~4kV~5kV~6kV~7kV~9kV
理論上10-90%上升時(shí)間(50Ω電線(xiàn))~0.3ns~0.3ns~0.3ns~0.3ns~0.3ns
1s占空比<10%<10%<10%<10%<10%
激光損傷閾值2.3J/cm2,直徑1mm,2.94μm,2Hz,100ns
光譜操作范圍必須在5-12μm范圍內指定波長(cháng)或波段
外形尺寸直徑34.9mm, 長(cháng)度92.7mm

可按客戶(hù)要求定制孔徑曙读。建議在1/10的流量下運行,以延長(cháng)使用壽命。LIDT將隨波長(cháng)和光束參數變化。

EKSMA普克爾盒

KTP普克爾盒

PCK/PCR系列普克爾盒基于特殊生長(cháng)的高電阻率KTP或RTP晶體篮汁。突出的特點(diǎn)是可以在高占空比下操作KTP/RTP 普克爾盒,甚至可以在高電壓下保持更長(cháng)時(shí)間。KTP/RTP普克爾盒可以采用標準的一英寸外殼或在需要小尺寸時(shí)采用開(kāi)放式OEM安裝详幽。

KTP普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 相較于雙BBO普克爾盒電池電壓要求小兩倍

  • 在低頻下以高占空比運行

  • 與DKDP晶體相比谦絮,壓電共振非常低

  • 標準通光孔徑:4x4和6x6 mm

主要應用

  • 用于高重復頻率激光器1kHz–6MHz的調Q

  • 高重復率激光器的脈沖選擇器

型號PCK4PCK4-OPCK6PCK6-O
通光孔徑?3.5 mm?3.5mm?5.5mm?5.5mm
晶體數量2222
半波電壓(@1064nm)<1.8 kV DC<1.8 kV DC<2.8 kV DC<2.8 kV DC
電容4pF4pF<6pF<6pF
光傳輸(@1064nm)>98%>98%>98%>98%
對比度>1:500>1:500>1:500>1:500
尺寸?25.4×42.2mm25×11.1×7.5mm?25.4×42.2mm25×13.8×10.6mm

DKDP(KD*P)普克爾盒

普克爾盒的作用是在KD*P等電光晶體的電極上施壓用來(lái)改變通過(guò)這些晶體的的光的偏振態(tài)。當它與偏振器一起使用時(shí),普克爾盒可以用作快速關(guān)斷開(kāi)關(guān)。典型應用包括激光腔的調Q,實(shí)現激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來(lái)样刷。KD*P普克爾盒通常用于400~1100nm的調Q應用节芥。市面大多數燈泵浦Nd:YAG激光器、紅寶石激光器和低重復率DPSS激光器的激光腔調Q開(kāi)關(guān)都是使用KD*P普克爾盒蚓土。所有的電光KD*P晶體都鍍有高損傷閾值AR膜層缘赋。此外, PC12SR、D-compact和D-mini系列的普克爾盒還特有AR鍍膜窗口,可以保護和提高此產(chǎn)品在不太好的環(huán)境中的使用壽命白找。

DKDP(KD*P)普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 低吸收高氘材料

  • 針對所需波長(cháng)的高損傷閾值介電增透膜

  • 工作電壓不依賴(lài)于晶體孔徑盔雷,因此可提供大孔徑

  • 由于GVD低,適用于飛秒應用

  • 可根據要求提供基于單晶的三端子設計

主要應用

  • 高功率燈泵浦和低重復率二極管泵浦激光器的調Q

  • 脈沖選擇器

  • 激光腔倒空器

規格標準矩形KD*P標準圓形KD*P緊湊型 KD*P迷你 KD*P
型號PC5S-1064PC10S-1064PC12SR-1064PC12SR-532PC12SR-694PC14x45SR-1064D-Compact/9-1064D-Compact/12-1064D-mini/8-800D-mini/9-1064
通光孔徑,mm4.5x4.59.5x9.5?11?11?11?13.6?8?11?7?8
晶體尺寸穴眨,mm5x5x1610x10x25?12x24?12x24?12x24?14x45?9x20?12x24?8x12?9x20
晶體數量1111111111
λ/2電壓, kV DC<6.8@1064nm<6.8@1064nm<6.8@1064nm<3.5@532nm<4.5@694nm<±3.4@1064nm<6.8@1064nm<6.8@1064nm<5@800nm<6.8@1064nm
電容,pF1.54666106636
光傳輸板荐,%>97>97>97>97>97>97>97>97>97>97
對比度*> 1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000
尺寸间其,mm18x14x2522x18x33?35x41.6?35x41.6?35x41.6?35x75?25.4x35?25.4x39?19x19?19x25.4

*用正交偏光片法測量

BBO普克爾盒

BBO普克爾盒是橫向磁場(chǎng)器件,電光系數低,工作電壓高沦隙,電壓與電極間距和晶體長(cháng)度的比值成正比岸腔。采用雙晶體設計以降低所需電壓,并可在半波模式下快速切換貌蔗。當與偏振器一起使用時(shí),它可以用作快速關(guān)斷開(kāi)關(guān)。典型應用包括激光腔的調Q,實(shí)現激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來(lái)。Quatro BBO普克爾盒采用四晶設計,兩側獨立控制,可以由兩組同步的普克爾盒驅動(dòng)器控制,從而實(shí)現高級偏振控制。

BBO普克爾盒

主要特點(diǎn)

  • 低吸收高氘材料

  • 針對所需波長(cháng)的高損傷閾值介電增透膜

  • 工作電壓不依賴(lài)于晶體孔徑,因此可提供大孔徑

  • 由于GVD低缅擅,適用于飛秒應用

  • 可根據要求提供基于單晶的三端子設計

主要應用

  • 高功率燈泵浦和低重復率二極管泵浦激光器的調Q

  • 脈沖選擇器

  • 激光腔倒空器

型號PCB3SPCB3DPCB3S/25PCB3D/25PCB4SPCB4DPCB4Q-CPCB6.3SPCB6.3DPCB8D
通光孔徑,mm2.52.52.52.53.53.53.55.85.87.5
晶體尺寸,mm3x3x203x3x203x3x253x3x254x4x204x4x204x4x206.3x6.3x206.3x6.3x208x8x20
晶體數量1212124122
λ/4 電壓 (@ 1064 nm), kV DC<3.5<1.8<3.0<1.5<4.6<2.3<2x1.3<7.5<3.8<4.6
電容,pF4646362×<66<8<8
光傳輸,%>98>98>98>98>98>98>98>98>98>98
對比度*>1:1000>1:500>1:1000>1:500>1:1000>1:500>1:500>1:1000>1:500>1:500
尺寸,mm?25.4x37.2?25.4x57.2?25.4x42.2?25.4x67.2?25.4x37.2?25.4x57.2?25.4x112?35x42.2?35x57.2?35x64

上面提供的普克爾斯盒的所有晶體都鍍有AR/AR@1064nm】可根據要求提供其他抗反射涂層。對于1064nm的10ns脈沖腹纳,損傷閾值>5J/cm2姆恃。

RTP晶體電光Q開(kāi)關(guān)

RTP(磷酸鈦氧銣)晶體屬KTP族晶體,因其良好的電學(xué)與光學(xué)性能,包括較高的電阻率(約1011-1012Ω·cm和抗光傷閾值蜒舟,非常適合用做電光器件,如激光Q開(kāi)關(guān)岔绸、快門(mén)我毕、相位和振幅調制器、脈沖選擇器,腔倒空器和偏轉器。

RTP晶體電光Q開(kāi)關(guān)

我公司提供的RTP晶體Q開(kāi)關(guān),采用雙晶體結構,兩塊晶體光軸彼此垂直灌笙,可以自動(dòng)補償環(huán)境溫度變化国酵,是一種無(wú)需溫控的激光器件。除此之外鸽拱,RTP晶體器件還具有下列明顯優(yōu)勢:

  • 適用波長(cháng):450nm  – 3μm,器件消光比 > 23 dB

  • 雙晶體總的電容量很小莽曲, 5mm長(cháng)晶體的總電容量為2-3pF或10mm長(cháng)晶體的總電容量為3-4pF,可實(shí)現脈沖上升/下降時(shí)間:0.5-5ns

  • 與其它電光Q相比,具有較低的半波電壓码党,更容易控制

  • 晶體內部質(zhì)量好,光學(xué)吸收低,雙晶體的總體透光率>98.5%

  • 動(dòng)態(tài)、靜態(tài)半波電壓基本一致,易于安裝和調節

  • 適用于高頻操作烧颖,最高開(kāi)關(guān)頻率可達1MHz

  • 小巧的外形和較低的操作電壓,使其更適于新型的光纖與碟片激光器應用

  • 最大15x15mm2口徑器件可用于大型軍工和航天用途激光器

  • 使用溫度﹣50-70℃,無(wú)需溫控

  • 晶體損傷閾值達1GW/cm2 @ 1064nm, 10ns脈寬

  • 晶體不潮解,介電常數低,優(yōu)良的電學(xué)穩定性,可長(cháng)期承受外加電壓

  • 在高頻工作時(shí),極低的振鈴效應哲虾,遠遠低于BBO電光Q的振鈴效應

RTP晶體電光Q型號定義規則:
  型號:Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W
  Ty ‐ 晶體類(lèi)別: R (RTP)
  D ‐ 電光器件: Q (電光Q)皆墅,M  (雙晶體結構)寿伊,或S  (單晶體結構)
  O ‐ 晶體切割方向: X  / Y / Z
  Cr ‐ 晶體截面 [mm]
  L ‐ 晶體長(cháng)度 [mm]
  E ‐ 消光比20/23/25/30 [dB]
  W ‐ 工作激光波長(cháng)  [nm]

典型電光Q開(kāi)關(guān)晶體尺寸和半波電壓(外觀(guān)尺寸圖)

器件型號晶體尺寸[mm]半波電壓(kV)器件型號晶體尺寸半波電壓(kV)
R-Q-Y-020-5-20-10642 x 2 x 51.3R-Q-Y-020-10-20-10642 x 2 x 10.66
R-Q-Y-030-5-20-10643 x 3 x 52.0R-Q-Y-030-10-20-10643 x 3 x 10.99
R-Q-Y-040-5-20-10644 x 4 x 52.6R-Q-Y-040-10-20-10644 x 4 x 101.3
R-Q-Y-050-5-20-10645 x 5 x 53.3R-Q-Y-050-10-20-10645 x 5 x 101.7
R-Q-Y-060-5-20-10646 x 6 x 54.0R-Q-Y-060-10-20-10646 x 6 x 102.0
R-Q-X-020-5-20-10642 x 2 x 51.6R-Q-X-020-10-20-10642 x 2 x 10.79
R-Q-X-030-5-20-10643 x 3 x 51.6R-Q-X-030-10-20-10643 x 3 x 101.2
R-Q-X-040-5-20-10644 x 4 x 51.6R-Q-X-040-10-20-10644 x 4 x 101.6
R-Q-X-050-5-20-10645 x 5 x 51.6R-Q-X-050-10-20-10645 x 5 x 102.0
R-Q-X-060-5-20-10646 x 6 x 51.6R-Q-X-060-10-20-10646 x 6 x 102.4
R-Q-X-070-5-20-10647 x 7 x 51.6R-Q-X-070-10-20-10647 x 7 x 102.8
R-Q-X-080-5-20-10648 x 8 x 51.6R-Q-X-080-10-20-10648 x 8 x 103.2
R-Q-X-090-5-20-10649 x 9 x 51.6R-Q-X-090-10-20-10649 x 9 x 103.6
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